更新：2026-01-16 06:29:08
在开放创新平台生态系统论坛上，台积电（TSMC）公布了其最新技术路线规划，着重指出在AI工作负载持续增长的大环境下，芯片节点研发以及性能与能效平衡方面遭遇的难题。该公司透露，N2工艺目前已正式迈入量产阶段，而N2P工艺则计划于2026年初启动大规模产能提升工作。
台积电计划在2026年年底交付首批A16芯片，这款芯片采用的工艺融合了纳米片晶体管与背面超级电源轨（SPR）技术。其节点演进路径是从N3工艺过渡到基于纳米片架构的N2工艺，接着发展到配备SPR的A16工艺，最终将向更先进的A14节点推进。
台积电公布的数据显示，在功耗维持不变时，从N7节点过渡到A14节点，性能大约提升了1.8倍，而整体能效则提高了约4.2倍。关于A16，台积电预计，在电压相同的情况下，它的时钟速度会比N2P快8-10%；当处理能力相近时，其能源消耗能减少15-20%。对于那些希望继续使用FinFET工艺的客户，台积电依旧提供N3C和N4C等FinFET升级版选项，其中N4C已经有部分客户在实际使用了。
值得一提的是，台积电还介绍了NanoFlex技术——这是伴随N2工艺一同推出的单元级调优方案，能让设计团队在速度与能效之间进行灵活的权衡取舍。对于适配的设计而言，运用该方法最高可实现15%的频率提升，或是达成30%的能耗降低。
在个性化定制领域，台积电凭借与客户的深度协作，构筑起行业领先的竞争优势。以英伟达（NVIDIA）的“Blackwell”芯片为例，台积电为其量身打造了专属的4N 4纳米工艺节点，并将该芯片与八层堆叠的HBM3E高速内存通过CoWoS-S封装技术整合在一起。依托节点定制能力、与客户及EDA供应商的紧密协同，以及在工艺节点和先进封装领域的领先地位，台积电得以在半导体制造行业中始终保持头部位置。
